Программа экзамена кандидатского минимума - umotnas.ru o_O
Главная
Поиск по ключевым словам:
страница 1
Похожие работы
Название работы Кол-во страниц Размер
Программа экзамена кандидатского минимума 1 94.85kb.
Программа экзамена кандидатского минимума 1 205.65kb.
Программа экзамена кандидатского минимума 1 70.82kb.
Программа экзамена кандидатского минимума 1 65.75kb.
Программа-минимум кандидатского экзамена по специальности 08. 3 1166.85kb.
Программа-минимум кандидатского экзамена по специальности 08. 5 1873.98kb.
Программа кандидатского экзамена Научная специальность 1 199.71kb.
Вопросы для сдачи экзамена кандидатского минимума 1 109.7kb.
Программа-минимум кандидатского экзамена по специальности 05. 1 87.6kb.
Требования к экзамену кандидатского минимума по философии 1 121.66kb.
Программа кандидатского экзамена по специальности 07. 00. 03 «Всеобщая... 1 250.82kb.
Ппр-эллипсометрический комплекс для анализа биоорганических сред 1 42.39kb.
Викторина для любознательных: «Занимательная биология» 1 9.92kb.

Программа экзамена кандидатского минимума - страница №1/1

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«ВЛАДИВОСТОКСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ЭКОНОМИКИ И СЕРВИСА»



(ВГУЭС)


Кафедра электроники

ПРОГРАММА ЭКЗАМЕНА КАНДИДАТСКОГО МИНИМУМА

модуль основной образовательной программы послевузовского профессионального образования подготовки аспирантов (ООП ППО)

по научной специальности



01.04.07




Физика конденсированного состояния










для аспирантов всех форм обучения

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОГРАММЫ КАНДИДАТСКОГО

ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНЫМ ДИСЦИПЛИНАМ


    1. Цели и задачи кандидатского экзамена

Расширение и углубление фундаментальной подготовки в современных направлениях физики конденсированного состояния по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния», в частности, по физике конденсированного состояния, квантовой теории твердых тел, физике поверхности, физике низкоразмерных структур, физике реальных кристаллов, по квантово-механическому моделированию атомарных кластеров и двумерных слоев, по методам исследования низкоразмерных наноструктур и расчетам их параметров.

1.2. Период подготовки к кандидатскому экзамену

Подготовка к кандидатскому экзамену начинается на первом курсе аспирантуры, с началом изучения специальных дисциплин, и продолжается на следующих курсах, при выполнении научных исследований и работе над рукописью диссертации, что способствует повышению качества, как научных исследований аспиранта, так и содержания его диссертации.

1.3. Перечень специальных дисциплин, включенных в программу кандидатского экзамена.



Программа кандидатского экзамена ориентирована на специальные дисциплины основной образовательной программы подготовки аспирантов по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния»: «Физика конденсированного состояния», «Физика поверхности полупроводников», «Электронная структура кристаллических и неупорядоченных тел», «Методы исследования поверхности твердых тел», «Явления переноса в низкоразмерных системах».

1.4. Направленность контрольных вопросов кандидатского экзамена.

Вопросы, предлагаемые аспиранту или соискателю ученой степени по специальности 01.04.07 (далее выпускника аспирантуры) для итоговой аттестации на кандидатском экзамене по специальным дисциплинам, делятся на две группы. К первой из них относятся вопросы, контролирующие широту эрудиции выпускника аспирантуры и фундаментальность его научной подготовки в области теоретических и методологических основ физики конденсированного состояния по научной специальности 01.04.07. Вторая группа вопросов направлена на проверку того, насколько выпускник аспирантуры, применительно к теме своей диссертации, владеет современными методами исследования и компьютерного моделирования, современными информационными технологиями, включая методы получения, обработки и хранения научной информации, насколько глубоки и аргументированы представления выпускника аспирантуры об актуальности, научной новизне и практической ценности результатов его научных исследований.
2. СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ КАНДИДАТСКОГО
ЭКЗАМЕНА ПО СПЕЦИАЛЬНЫМ ДИСЦИПЛИНАМ
2.1. Структура твердых тел

Кристаллические и аморфные тела. Трансляционная симметрия. Элементарная ячейка. Решетка Браве. Точечные и пространственные группы. Особенности распространения волн в периодических структурах. Закон Брегга. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна.

Дефекты в кристаллах. Точечные дефекты, их образование и диффузия. Вакансии и межузельные атомы. Краевые и винтовые дислокации. Вектор Бюргерса. Энергия дислокаций. Движение дислокаций: переползание и скольжение. Механизмы образования дислокаций в кристалле. Источник Франка-Рида. Размножение дислокаций. Роль дислокаций в пластической деформации. Влияние радиационных, механических, термических воздействий на реальную структуру твердых тел.

Тип химической связи. Структурные и физические особенности ионных, ковалентных, металлических и молекулярных кристаллов. Плотноупакованные структуры: простая кубическая, ОЦГ, ГЦК, ГПУ, структуры типа CsCl, NaCl и типа перовскита CaTiO3.



2.2. Энергетический спектр кристаллов

Описание энергетического состояния кристалла при помощи газа квазичастиц. Фотоны, магноны, экситоны, плазмоны и др. Электроны в металле как квазичастицы. Квазиимпульс. Закон дисперсии. Теорема Блоха. Граничные условия. Плотность состояний. Статистика газа квазичастиц. Бозоны и фермионы. Взаимодействие частиц.

Колебание решетки – фононы. Акустическая и оптическая ветви колебаний. Теплоемкость решетки. Дебаевская частота. Фактор Дебая-Уоллера в рассеянии рентгеновских лучей. Ангармонизм и тепловое расширение.

Электронное состояние в кристаллах. Одноэлектронная модель. Приближение сильной и слабой связи. Зонная схема и типы твердых тел. Вырожденный электронный газ. Статистика электронного газа в полупроводниках и металлах. Электронная теплоемкость, Поверхность Ферми. Тензор эффективных масс. Электроны и дырки. Циклотронная масса. Положение Ферми-уровня в невырожденных полупроводниках.



2.3. Электронные кинетические свойства твердых тел

Кинетическое уравнение. Электро- и теплопроводность. Времена релаксации. Механизмы рассеяния электронов. Рассеяние на примесях и дефектах. Электрон-фононные столкновения. Нормальные процессы и процессы переброса. Магнитосопротивление и эффект Холла.

Металлы с большой длиной свободного пробега электронов. Аномальный скин-эффект. Циклотронный резонанс и размерные эффекты. Проникновение электромагнитного поля в металл. Всплески. Геликоны. Квантование орбит в магнитном поле. Эффект де Гааза - ван Альфена.

Полупроводники. Электронная структура типичных полупроводников. Германий и кремний. Узкозонные полупроводники. Примесные уровни. Доноры и акцепторы. Статистика электронов и положение Ферми-уровня в невырожденных полупроводниках: собственных и примесных. Рассеяние свободных носителей тока в полупроводниках. Подвижность и длина свободного пробега носителей тока. Электропроводность полупроводников. Явления в сильных электрических полях. Термоэлектрические явления в полупроводниках. Гальвано- и термомагнитные эффекты. Неравновесные носители тока. Распределение неравновесных носителей тока в полупроводниках. Квазиуровни Ферми и статистика заполнения уровней дефектов. Особенности переноса неравновесных носителей тока. Диффузия неравновесных носителей тока и их дрейф в электрическом поле.

Диэлектрики. Эффективное поле. Электронная, ионная и дипольная ориентация. Электрострикция и пьезоэлектричество. Пиро- и сегнетоэлектрики. Электрический гистерезис. Сегнетоэлектрические домены. Аномалии физических свойств сегнетоэлектриков в области фазовых переходов. Молекулярные кристаллы.

2.4. Механические, оптические и магнитные свойства твердых тел

Тензор упругих постоянных и упругая деформация. Пластичность кристаллов. Предел текучести. Упрочнение. Внутреннее трение.

Механизм поглощения фотонов. Поглощение свободными носителями. Решеточное поглощение. Прямые и непрямые межзонные переходы, правила отбора. Экситоны. Спектры собственного поглощения, межзонная плотность состояний, сингулярности Ван-Хова. Экситонные эффекты в оптических спектрах. Несобственное поглощение в твердых телах. Поверхностное поглощение. Внутрицентровое поглощение. Фотоионизация дефектов. Многофотонные процессы. Комбинационное рассеяние света в кристаллах. Поглощение связанными носителями. Люминесценция. Времена жизни возбуждений. Флуоресценция. Безызлучательные переходы. Квантовый выход люминесценции. Люминесценция кристаллов. Экситонная люминесценция. Межзонная люминесценция. Рекомбинационная люминесценция. Люминесценция с участием дефектов. Люминесценция связанных экситонов. Внутрицентровая люминесценция. Туннельная люминесценция. Кооперативная люминесценция.

Намагниченность и восприимчивость. Диамагнетики, парамагнетики и ферромагнетики. Законы Кюри и Кюри-Вейсса. Парамагнетизм и диамагнетизм электронов проводимости. Природа ферромагнетизма. Фазовый переход в ферромагнитное состояние. Роль обменного взаимодействия. Точка Кюри и восприимчивость ферромагнетика. Ферромагнитные домены. Причины появления доменов. Доменные границы (Блоха, Нееля). Антиферромагнетики. Магнитная структура. Точка Нееля. Восприимчивость антиферромагнетиков. Ферримагнетики. Магнитная структура ферримагнетиков. Спиновые волны, магноны. Движение магнитного момента в постоянном и переменном магнитных полях. Электронный парамагнитный резонанс. Ядерный магнитный резонанс.



2.5. Термодинамика и фазовые переходы

Равновесие фаз. Фазовые переходы I и II рода. Флуктуации. Твердые растворы и промежуточные фазы. Равновесие в многокомпонентных системах и правило фаз. Диаграмма равновесия. Кинетика фазовых превращений. Диффузионные и бездиффузионные превращения.



2.6. Сверхпроводимость

Основные свойства сверхпроводимости. Эффект Мейсснера. Сверхпроводники I и II рода. Вихри и вихревые структуры. Основы микроскопической теории. Куперовские пары. Энергетическая щель и квазичастицы в сверхпроводниках. Туннельный эффект. Эффект Джозефсона.



2.7. Методы исследования поверхности твердых тел

Рентгенография: методы исследования идеальной и реальной структуры. Электронография и электронная микроскопия. Нейтронография: упругое и неупругое когерентное рассеяние, исследование магнитных структур и фононных спектров. Эффект Мессбауэра. ЭПР. ЯМР. Электрические и гальваномагнитные измерения как методы изучения электронной структуры кристаллов и состава примесей в полупроводниках. Оптические методы исследования. Возможности, связанные с использованием лазерных источников света. Метод Ожэ-электронной спектроскопии. Методы исследования магнитных свойств твердых тел. Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением. Метод измерения теплопроводности. Спектроскопия комбинационного рассеяния света. Колебательная спектроскопия. Модуляционная оптическая спектроскопия. Люминесцентная возбуждающая спектроскопия. Атомная силовая микроскопия. Сканирующая зондовая микроскопия. Метод дифракции быстрых электронов.



2.8. Твердотельные структуры пониженной размерности и сверхрешетки

Шкалы длин в современной физике твердого тела. Размерность. Размерное квантование. Теоретическое описание электронных состояний в двумерном электронном газе. Эксперименты по электрическому транспорту и их интерпретация. Электрические и гальваномагнитные явления в двумерных структурах. Эффект Шубникова-де Гааза. Общее представление о квантовом эффекте Холла. Теоретическое описание электронных состояний в одномерном электронном газе. Эксперименты по электрическому транспорту и их интерпретация. Магнетотранспортные свойства. Оптические свойства.

Методы генерации горячих носителей: роль гетеропереходов. Электронная спектроскопия горячих электронов: транспортные и оптические методы исследования. Структуры с переносом носителей в сильных электрических полях. Туннелирование через одиночный барьер. Туннелирование через двойной барьер с квантовой ямой. Множественные туннельные барьеры.

Электронная структура идеальной сверхрешетки. Легированные сверхрешетки. Оптические свойства сверхрешеток. Экситоны в квантовых ямах. Блоховские осцилляции и лестницы Штарка. Измерения электрического транспорта в сверхрешетках. Применения сверхрешеток. Формирование квантовых проволок и квантовых точек. Электронные и оптические свойства систем с квантовыми проволоками и квантовыми точками. Квантово-размерный эффект Штарка.



2.9. Современные проблемы физики конденсированного состояния

Современное состояние науки о материалах. Общие представления о магнитных, электрических, сегнетоэлектрических, полупроводниковых свойствах материалов. Роль этих материалов в науке и технике.

Новые типы материалов: наноматериалы, квазикристаллы, фуллерены, аморфы, полимерные пленки и т.п. Атомно-кластерная инженерия и создание новых материалов XXI в.

Неравновесные твердотельные системы, как «открытые системы». Проблема устойчивости. Бифуркации. Саморегуляция в открытых конденсированных системах.



2.10. Электронная структура кристаллических и неупорядоченных сред

Статистика классическая и квантовая. Свойства электронного газа а основном состоянии. Обратное пространство. Геометрия изоэнергетических поверхностей в этом пространстве. Энергия Ферми. Принцип Паули. Плотность электронных состояний g(E), cвязь функции g(E) с топологией изоэнергетических поверхностей. Роль фермиевских электронов в тепловом движении. Теорема Блоха. Энергетические зоны. Электронные поверхностные уровни в слабом периодическом потенциале; уровни Тамма. Приближение сильно связанных электронов. Первая зона Бриллюэна для кремния и германия. Закон дисперсии для электронов проводимости. Кинетическое уравнение Больцмана. Удельная электропроводность массивного образца, тонких плёнок и проволок. Природа сопротивления. Длина свободного пробега.



2.11. Явления переноса в низкоразмерных структурах

Применение теории функционала плотности к изучению поверхности твердого тела. Свойства основного состояния. Приближение локальной плотности. Модель желе. Стабилизированная модель желе. Статический отклик. Теория динамического отклика. Адиабатическое приближение локальной плотности. Динамическое приближение локальной плотности. Объемный плазмон в металле. Формула Лэнгмюра. Приближение хаотических фаз. Формула Линдхарда для диэлектрической проницаемости. Сечение неупругого рассеяния и функция линейного отклика поверхности. Дипольное и ударное рассеяние. Поверхностный плазмон. Гидродинамическая модель. Результаты расчетов в приближении хаотических фаз. Мультипольный плазмон. Дисперсия и затухание поверхностного и мультипольного плазмонов. Формула Ритчи для тонкой пленки. Формула Стерна для восприимчивости двумерного электронного газа. Плазмон в сферическом кластере. Гидродинамическая модель. Модель желе. Адсорбаты щелочных металлов. Влияние межзонных переходов на дисперсию и затухание плазмона в полупроводниках. Приближение почти свободных электронов. Результаты расчетов для Si, Ge и полупроводников типа цинковой обманки. Ab initio вычисления. Тормозящая способность электронного газа. Возбуждение электронно-дырочных пар и коллективных колебаний. Отражение p- и s- поляризованного света. Полуклассическое приближение бесконечного барьера. Теория Фейбельмана. Плазмон в бесконечной периодической сверхрешетке. Плазмон в полубесконечной сверхрешетке. Плазмон в конечной свехрешетке. Взаимодействие продольных и поперечных волн на поверхности. Решение уравнений Максвелла для связанного продольно-поперечного колебания. Поверхностный поляритон. Сечение неупругого рассеяния электронов во втором борновском приближении. Нелинейная оптика.

2.12. Компьютерное моделирование в задачах физики конденсированного состояния

Этапы компьютерного моделирования в физике конденсированного состояния: математическое описание, создание и отладка компьютерной программы, проведение компьютерного расчета, анализ результатов, сопоставление с экспериментом и другими теоретическими данными.

Особенности моделирования атомных систем и процессов: классический подход (эмпирические потенциалы); полуэмпирический подход; квантово-механический подход (из первых принципов); метод Монте Карло.

Особенности квантово-механического подхода к моделированию геометрии атомных систем: уравнение Шредингера для многочастичной задачи; кулоновское и обменное взаимодействие; самосогласованное решение.

Метод классических потенциалов: двухчастичные потенциалы; многочастичные потенциалы. Метод сильной связи: понятие о молекулярных орбиталях; эмпирический и неэмпирический подходы в методе сильной связи; приближение эффективной массы. Кластерный (квантово-химический) подход: выбор базисных функций; уравнения Рутана и различные приближения в задаче их решения; методы NDO, INDO, MINDO, AM1 и другие. Использование эмпирических параметров. Метод функционала электронной плотности: основы теории функционала электронной плотности; обменно-корреляционный потенциал; приближение псевдопотенциала. Молекулярная динамика: классическая молекулярная динамика: квантовая молекулярная динамика (метод Кар-Паринелло). Метод Монте-Карло: общие принципы метода Монте Карло; исследование роста кристалла методом Монте Карло.

2.13. Поверхность твердых тел

Атомная структура поверхности. Релаксация, реконструкция, их механизмы. Связь физических свойств поверхности с ее структурой. Структурные дефекты поверхности.

Электронная структура поверхности. Поверхностные электронные состояния. Электронная плотность вблизи поверхности. Поверхностные плазмоны.

Основы двумерной кристаллографии. Двумерные решетки. Индексы Миллера плоскостей кристалла. Индексы направлений. Описание структуры поверхности. Двумерная обратная решетка.

Методы получения атомарно-чистой поверхности.

2.14. Электронные и атомные явления на межфазовых границах твердых тел

Пространственное распределение потенциала и электронной плотности на поверхности металла, осцилляции Фриделя. Работа выхода и ее составные части.

Физическая природа и описание области пространственного заряда в полупроводниках на границах раздела. Распределение электрических зарядов в приповерхностной области полупроводников. Поверхностная емкость полупроводников. Кинетические и неравновесные явления в полупроводниках с учетом поверхности и границ раздела. Контакт металл-полупроводник, гомопереходы, гетеропереходы. Полевые эффекты в полупроводниках и их использование для исследования поверхностных явлений.

Гетерогенные системы. Межфазная граница. Явления на границе раздела фаз твердое тело-газ. Физическая и химическая адсорбция. Межмолекулярные взаимодействия при физической адсорбции. Моно-и полимолекулярная адсорбция. Модель адсорбции Ленгмюра. Адсорбционно-десорбционное равновесие. Теплота физической адсорбции. Зависимость теплоты адсорбции от молекулярного веса адсорбата.

Типы химической связи при хемосорбции. Энергия активации и теплота адсорбции. Диссоциативная адсорбция. Потециальные поверхности при хемосорбции. Хемосорбция на неоднородной поверхности. Адсорбция. Теория Брунауера-Эммета-Тейлора. Электронные состояния адатома. Изменение работы выхода при адсорбции, дипольная модель, модель Лэнга. Атомная структура адсорбированного слоя. Взаимодействие адсорбированных частиц. Десорбция, поверхностная диффузия.

2.15. Рост и структура тонких пленок

Рост пленок по механизму Фольмера и Вебера. Модели образования зародышей. Кинетика роста изолированного островка и в ансамбле. Кинетика поздних стадий роста пленки. Рост пленок по механизму Франка и Ван дер Мерве. Критическая толщина псевдорморфного слоя и его структура. Механизм релаксации упругих деформаций псевдоморфного слоя.

Кинетическая модель слоевого роста. Барьер Швебеля. Структурные превращения при росте пленок по Крастанову и Странскому. Структура пленок. Аморфные, поликристаллические и монокристаллические пленки. Дефекты. Несоответствие решеток на границе раздела. Методы роста тонких пленок в вакууме. Молекулярная и твердофазная эпитаксия.

2.16. Магнитные свойства многослойных пленочных структур

Типы взаимодействия в многослойных пленочных структурах (прямое обменное взаимодействие, ферромагнитная и антиферромагнитная косвенная обменная связь, магнитостатическое взаимодействие, дырочная и косвенная связь). Механизмы закрепления доменных границ в тонких магнитных пленках (межзеренные границы, поры, дисперсия легких осей намагничивания, шероховатости, локализованные дефекты, рябь намагничивания). Магниторезистивный эффект (зависимость гигантского магниторезистивного эффекта от толщины ферромагнитных и немагнитных слоев, роль шероховатостей межфазных границ, влияние легирования)

Поле насыщения, билинейная и биквадратная косвенная обменная связь (антиферромагнитная и ферромагнитная косвенная обменная связь, антиферромагнитные максимумы). Магнитная анизотропия высокого порядка (источники формирования анизотропии в многослойных пленках, источники биквадратной косвенной обменной связи). Осциллирующий характер магнитных и магниторезистивных параметров многослойных пленок. Причины осцилляции магнитных и магниторезистивных свойств.

Коэрцитивная сила многослойных пленок (роль структурных дефектов, роль косвенной обменной связи, энергия и ширина доменных границ). Доменная структура многослойных пленок с косвенной обменной связью. Особенности доменной структуры пленок в первом и втором антиферромагнитных максимумах).



3. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА


  1. Зотов А.В. Введение в физику поверхности / Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. – М.: Наука, 2006

  2. Байков Ю.А. Физика конденсированного состояния: учебник для высшей школы \ Ю.А. Байков, В.М. Кузнецов – М.: БИНОМ. Лаборатория Знаний, 2011. – 240 с.

  3. Винтайкин Б.Е. Физика твердого тела: учебное пособие для студ. вузов, обуч. по техн. направлениям подготовки и спец. / Б.Е. Винтайкин. - 2-е изд.,стереотип. - М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2008. - 360 с.

  4. Гуртов В.А. Физика твердого тела для инженеров: учебное пособие для студ. вузов / В.А. Гуртов, Р. Н. Осауленко ; науч. ред. Л. А. Алешина. - М.: Техносфера, 2007

  5. Геринг Г.И., Панова Т.В. Физика конденсированного состояния вещества: учебное пособие / Г.И. Геринг, Т.В. Панова – Омск: Издательство ОмГУ, 2008г. -106 с., ил.

  6. Лифшиц В.Г. Процессы на поверхности твердых тел / В.Г. Лифшиц, С.М. Репинский. – Владивосток: Дальнаука, 2003. – 704 с.

  7. Лифщиц В.Г. Учебное пособие по физике поверхности. – Владивосток: ДВГУ, 1999. -140 стр.

  8. «Surface Phases on Silicon» V.G.Lifshits, A.A.Saranin, A.V.Zotov, 1994, Wiley, p.460.

  9. Ролдугин В.И. Физикохимия поверхности: учебник для высшей школы. – М.: Интеллект Групп, 2011

  10. Воронов В.К. Физика на переломе тысячелетий. Конденсированное состояние: учебник для высшей школы / В.К. Воронов, А.В. Подоплелов. – М.: Изд-во ЛКИ, 2011. – 333 с.

  11. Лифшиц В.Г. Основы физики поверхности полупроводников. / Уч. пособие. – Владивосток: ИАПУ ДВО РАН, 1999, 132 с.

  12. Зегря Г.Г. Основы физики полупроводников: учебное пособие для студ. вузов / Г.Г. Зегря, В. И. Перель. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2009. - 336 с.

  13. Зенгуил. Физика поверхности. – М.: Мир, 1990.

  14. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. – М.: Наука, 1985. - 200с.

  15. Л.Фелдман, Д.Майер. Основы анализа поверхности и тонких пленок. - М.: Мир,1989

  16. Ф.Бехштед, Р.Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. – М.: Мир, 1990.

  17. Ткалич В.Л. Физические основы наноэлектроники: Учебное пособие / В.Л. Ткалич, А.В. Макеева, Е.Е. Оборина. - СПб.: СПбГУ ИТМО, 2011. - 83 с.

  18. Борисенко С.И. Физика полупроводниковых наноструктур Учебное пособие. - Томск, ТПУ, 2010. – 115 с.

  19. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008 г. - 488 стр.

  20. Гуртов В.А. Твердотельная электроника. – М.: Техносфера, 2008. – 478с.

  21. Перлин Е.Ю. и др. Физика твердого тела. Оптика полупроводников, диэлектриков, металлов Учебное пособие. - Санкт-Петербург: СПбГУ ИТМО, 2008. - 216 с.

  22. Загрубский А.А. Структура и электронные свойства твердых тел / А.А. Загрубский, А.П. Чернова – СПб.: Изд-во СПГУ, 2007. - 119 с.

  23. Федоров А. В., Рухленко И. Д., Баранов А. В., Кручинин С. Ю. Оптические свойства полупроводниковых квантовых точек. – СПб.: Наука, 2011. -188 с.

  24. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. Л. Ченга и К. Плога.. М.: Мир, 1989, 582 с.

  25. Усанов Д.А. Исследование поверхности материалов методом сканирующей туннельной микроскопии: учебное пособие / Д.А. Усанов, Р.К. Яфаров. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2007. – 51 с.; ил.

  26. Мамонова М.В. Физика поверхности. Теоретические модели и экспериментальные методы: монография / Мамонова М. В., Прудников В.В., Прудникова И.А. – М.: Изд-во «Физико-математическая литература», 2011. – 400 с.

  27. Зотов А.В. Введение в сканирующую туннельную микроскопию: учебное пособие \ А.В. Зотов, А.А. Саранин. – Владивосток: Изд-во ин-та автоматики и процессов управления ДВО РАН, 2002. – 58 с.

  28. Surface Science – An Introduction/ J.B. Hudson. NY.: John Wiley & Sons, Inc. 1998, 321 P.

  29. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз/ В.Г. Лифшиц, Ю.В. Луняков. Владивосток.: Дальнаука. 2004, 314 с.

  30. Physics at surfaces/ A. Zangwill. Cambridge.: University Press. 1988, 454 Р.

  31. Взаимодействие электро-магнитного излучения с веществом / Ю.А. Ильинский, Л.В. Келдыш. – М.: МГУ, 1989. - 300стр.

  32. Электронная теория металлов / И.М.Лифшиц, М.З.Азбель, М.И.Каганов. – М.: «Наука», 1976. - 415с

  33. Д.Синдо, Т.Оикава. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия для материаловедения. – M., Мир, 2006, 256 c.

  34. Дж.Брандон, У.Каплан, Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. – М., Техносфера, 2004, 384 с.

  35. Ichimiya A., Cohen P.I., Reflection high energy electron diffraction, “Cambridge university press”, 2004.

  36. Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю.А., Фридрихов С.А.и др. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. – М.: Наука, 1985.

  37. Cohen P.I., Petrich G.S., Pukite P.R., Whaley G.J., Arrot A.S., Birth-death models of epitaxy. Diffraction oscillations from low index surfaces. // Surface science 216, 1-11

  38. Борисенко В.Е. и др. Наноэлектроника. Часть 3. Перенос носителей заряда в низкоразмерных структурах / Учебное пособие. – Минск: БГУИР, 2005. - 88 с.

  39. Борисенко С.И. Физика полупроводниковых наноструктур Учебное пособие. - Томск, ТПУ, 2010. – 115 с.

  40. А. Liebsch, Electronic Excitations at Metal Surfaces (Plenum, New York, 1997).

  41. H. Ibach and D. L. Mills, Electron Energy Loss Spectroscopy and Surface Vibrations (Academic, New York, 1982)

  42. F. Garcia-Moliner abd F. Flores, Introduction to the Theory of Solid Surfaces (Cambridge, 1979).

  43. Дмитриев А.В. Основы статистической физики материалов: Учебник Издательство: МГУ, 2004 г.

  44. Чеботкевич Л.А. Физические основы технологии и формирования конденсированных сред. / Уч. пособие. – Владивосток: ДВГУ, 2001. - 264с.

  45. Иевлев В.М. Рост и субструктура конденсированных пленок: уч. пособие. / В.М. Иевлев, А.В. Бугаков, В.И. Трофимов. – Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2000. - 386с.

  46. Г. Джонс. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. М.,Мир, 1968

  47. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел /В.Ф.Кулешов, Ю.А.Куренко, С.А.Фридрихов и др. - М.: Наука.: 1985. 290с.